alphalas 光電探測器的選擇要點歸納

alphalas 光電探測器的選擇要點歸納　　alphalas 光電探測器結構的各層用分子束外延生長在襯底上。諧振腔由分布布拉格反射(DBR)的底部反射器和半透明的頂部金(Au)接觸形成。吸收層的In克分子數(shù)低于10%，為了避免載流子俘獲，兩個異質結層都線性地形成25nm的梯度?？偟奈諈^(qū)厚度為130nm左右，用來消除腔中的持續(xù)波效應。alphalas 光電探測器通過耗盡區(qū)中吸收層位置的佳化，得到電子和空穴的小渡越時間。器件用光刻法制作，alphalas 光電探測器采用臺面隔離和Au空橋連接頂部，接觸到片上的微波共平面?zhèn)鬏斁€?！　榱颂岣邆鬏斝什⑶覠o畸變地變換光電信號，alphalas 光電探測器不僅要和被測信號、光學系統(tǒng)相匹配，而且要和后續(xù)的電子線路在特性和工作參數(shù)上相匹配，使每個相互連接的器件都處于佳的工作狀態(tài)?，F(xiàn)將alphalas 光電探測器的應用選擇要點歸納如下：　　1、alphalas 光電探測器必須和輻射信號源及光學系統(tǒng)在光譜特性上相匹配。如果測量波長是紫外波段，則選用光電倍增管或專門的紫外光電半導體器件；如果信號是可見光，則可選用光電倍增管、光敏電阻和Si光電器件；如果是紅外信號，則選用光敏電阻，近紅外選用Si光電器件或光電倍增管。　　2、alphalas 光電探測器的光電轉換特性必須和入射輻射能量相匹配。其中首先要注意alphalas 光電探測器的感光面要和照射光匹配好，因光源必須照到器件的有效位置，如光照位置發(fā)生變化，則光電靈敏度將發(fā)生變化。如光敏電阻是一個可變電阻，有光照的部分電阻就降低，必須使光線照在兩電極間的全部電阻體上，以便有效地利用全部感光面。光電二極管、光電三極管的感光面只是結附近的一個極小的面積，故一般把透鏡作為光的入射窗，要把透鏡的焦點與感光的靈敏點對準。一股要使入射通量的變化中心處于檢測器件光電特性的線性范圍內(nèi)，以確保獲得良好的線性輸出。對微弱的光信號，器件必須有合適的靈敏度，以確保一定的信噪比和輸出足夠強的電信號?！　?、alphalas 光電探測器必須和光信號的調(diào)制形式、信號頻率及波形相匹配，以保證得到?jīng)]有頻率失真的輸出波形和良好的時間響應。這種情況主要是選擇響應時間短或上限頻率高的器件，但在電路上也要注意匹配好動態(tài)參數(shù)。　　4、alphalas 光電探測器必須和輸入電路在電特性上良好地匹配，以保證有足夠大的轉換系數(shù)、線性范圍、信噪比及快速的動態(tài)響應等?！　?、為使器件能長期穩(wěn)定可靠地工作，必須注意選擇好alphalas 光電探測器的規(guī)格和使用的環(huán)境條件，并且要使alphalas 光電探測器在額定條件下使用。